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L’équipe Nanostructures Quantiques - Propriétés optiques
Bienvenue sur le serveur de l’Equipe "Nanostructures Quantiques - Propriétés Optiques" du Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR 5650 CNRS-Université Montpellier 2.
Depuis 1998, cette équipe de spectroscopistes étudie les propriétés optiques des puits et boîtes quantiques à base de semiconducteurs de la famille du GaN, ou "nitrures d’éléments III".
Ces travaux ont principalement porté sur la dynamique de recombinaison dans les , émettant dans l’ultra-violet et le visible. Nous nous sommes aussi (...)
Actualités
Couplage fort exciton-photon à 300K dans une microcavité ZnO
Nous démontrons dans cet article le couplage fort exciton-photon à température ambiante, dans les microcavités à base de ZnO. Dans le cadre de la première génération d’échantillons de l’ANR ZOOM, cette microcavité est constituée d’une couche active de ZnO massif, d’un miroir de Bragg (Ga,Al)N/AlN et d’un miroir métallique Al. La deuxième génération d’échantillons, de miroir supérieur SiO2/SiN, présente un couplage fort avec deux modes optiques (de cavité et de Bragg). Les modes de polaritons émettent à (...)
Fautes d’empilement dans GaN plan-a : Etats électroniques et dynamique de capture-recombinaison des excitons.
La croissance de GaN suivant un plan non-polaire est l’un des enjeux actuels du développement des nitrures d’éléments III : en interdisant l’apparition de champs électriques internes dans les puits quantiques, cette croissance permet d’augmenter considérablement le rendement radiatif des composants opto-électroniques émettant dans le visible-UV. La croissance par épitaxie latérale (ELO) permet en outre de réduire la densité de dislocations traversantes qui sont identifiées comme défauts non-radiatifs (...)
Nanocolonnes de GaN sur silicium : Emission excitonique
Les nanocolonnes de GaN, élaborées par auto-organisation sur des substrats de silicium, ont la particularité d’être exemptes de défauts structuraux étendus et sont donc des éléments de base prometteurs pour les applications en opto-électronique UV-visible. Par spectroscopie continue et résolue en temps nous mettons en évidence un effet d’exaltation du satellite "à deux électrons" de la recombinaison des excitons liés aux donneurs neutres, avec altération de la dynamique de recombinaison. Nous expliquons (...)
Modélisation des microcavités ZnO, et comparaison aux microcavités GaAs et GaN
Le couplage exciton-photon dans microcavités à base de ZnO est complexe en raison de la grande force d’oscillateur des excitons de ZnO, qui permet d’obtenir un dédoublement de Rabi supérieur à l’énergie de liaison excitonique et à la séparation des différentes bandes de valence. Nous étudions ce nouveau régime dans l’article ci-dessous :
Comparison of strong coupling regimes in bulk GaAs, GaN, and ZnO semiconductor microcavities
S. Faure, T. Guillet, P. Lefebvre, T. Bretagnon, and B. Gil
Physical (...)
Modélisation du champ électrique dans les puits quantiques ZnO/(Zn,Mg)O
Time-integrated photoluminescence experiments are used to study the excitonic optical recombinations in wurtzite ZnO/Zn1−xMgxO single quantum wells of varying widths and magnesium compositions. By comparing experimental results with a variational calculation of excitonic energies, the authors determine the magnitude of the built-in electric field that is induced by both spontaneous and piezoelectric polarizations. It is found that the electric field varies linearly with magnesium (...)
Emission polarisée d’une boîte unique GaN/AlN : expérience et théorie
L’étude de la polarisation de l’émission d’une boîte unique GaN/AlN, par micro-photoluminescence, montre qu’elle est fortement polarisée. Les résultats obtenus sur un nombre significatif de boîtes quantiques sont comparées à un modèle tenant compte de la structure de bande complexe des nitrures, et de l’interaction d’échange électron-trou.
Résumé :
We report microphotoluminescence studies of single GaN/AlN quantum dots grown along the -(0001)- crystal axis by molecular-beam epitaxy on Si-(111)- (...)
